化学机械研磨

化学机械研来自磨，晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高，IB修蛋消用行因拉M公司于1985吧治年发展CMOS产品引界殖参门套座明告些入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。声序多次章语龙在1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。化学机械研磨亦称为化学机360百科械抛光，其原理是化学腐蚀作用秋乡挥和机械去除作用相结合的加工技术，是机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。

• 中文名称 化学机械研磨
• 外文名称 chemical mechanical polish
• 分类 硅研磨、硅氧化物研磨
• 应用 晶圆制造
• 研磨耗材 研磨液、研磨垫

分类

　　研磨制程根据研磨对象不同套帮权复主要分为:硅研磨(P来自oly CMP)、硅氧化物研磨(Silicon oxide CMP)、碳化硅研磨(Silicon carbide CMP)、钨研磨(W CMP)和铜研磨(Cu CMP)。

研磨耗材

　　研磨耗材分为以下几大类:研磨液(Slurry)、研磨垫(Pad)、金刚石盘(Disk)、研磨头(Head)、清洗360百科刷(Brush)和化学为停送点结许创清洗剂与保护剂(Chem费另积散ical)等。

产品特介点

　　化学机械研磨技术综合了化学研磨和机械研磨的优势。单纯的化学研磨，表面精度较来自高，损伤低，完整性好，不容易出现表面/亚表面损伤，但是研磨速率较慢，材料去除效率较低，不能修正表面型面精度，研磨一致性比较差;单纯的机械研磨，研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高，但是容易出现表面层/亚表面层损伤，表面粗糙度值比较低。化学机械研磨吸收了两者各自的优点，可以在保证材料去除效率的同时，获得较完美的表面，得到的平整度比单纯使用这两种研磨要高出1-2个数量级，并且可以实现纳米级到原子级的表面粗糙度。