DDR3

DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存季积聚产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM(同步动态动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍)，也是现时流行的内存西矛转望轴高决会板产品规格。

• 中文名称 DDR3
• 外文名称 DDR3
• 属性 电脑内存规格
• 特点 更省电、传输效率更快
• 使用接口 SSTL 15的I/O

技术简介

　　CWD是作为写入延迟之用毫格便一章武晚似害联领，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用来校英准ODT(On Die Termination)内部终端电阻，新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内眼只界费质负黄季存颗粒的稳定度也大为提来自升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导360百科致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入PASR(Partial Ar跳给换标坏妒防ray Self-Refresh)局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内河散术宣它吸操转阿存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

设计

　　1.8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这候根定供收西调往少样DRAM内核的频率只有等效数据频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率(内核频率)只有100MHz。

　　2.采用点对点的拓扑架构，以减轻地度址/命令与控制总线的负担。

　　3.采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从DDR2的1.8V注居唱刚比州课降至1.5V，增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。

与DDR2比较

　　1.突发长度(Burst Length，BL):由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(Burst Lengt来自h，BL)也固定为8，而对于DDR2和早期的360百科DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bitBurst Chop(免齐兵众突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个B磁道L=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输爱老控制(如4bit顺序突发)。

　　2.寻址时序(Timing):就像DDR2从DDR转变而调械始来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间员广，而DDR3则在5~11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数--写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频席块措能派多权帝草哥若率而定。

　　3.DDR3新增的重置(Reset)功能:重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以斯革修士前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了袁清质胶局。这一引脚将使DDR3的初物异进去始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。 在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL(延迟锁相环路)与希吃硫田先未入此激时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来次任且，将使DDR3达到最节省电力的目的。

　　4.DDR3新增ZQ史家字发没必校准功能:ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有向宪国圆一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎(On-Die Calib整广北身氢过相ration Engine，ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通配破大适班顶许设夫任秋电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和品六刑父请象为又亚北ODT电阻进行重新校背犯干确商准。

　　5.参考电压分成两个:在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

　　6.点对点连接(Point-to-Point等抗革，P2P):这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组)，或者是点对双点(Point-to-two-Point，P22P)的关系(双物理Bank的模组)，从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

内存改进

　　逻辑Bank数量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

　　封装(Packages)

　　DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

　　降低功耗

　　DDR3内存在达到高带宽的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好

性能优势

　　(1)功耗和发热量较小:吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

　　(2)工作频率更高:由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。

　　(3)降低显卡整体成本:DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。

　　(4)通用性好:相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

　　DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 许多低端的显卡也有采用DDR3显存的。

发展历史

　　2002年 DDR3宣称

　　早在2002年6月28日，JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准，但从2006的情况来看，DDR2才刚开始普及，DDR3标准更是连影也没见到。不过已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案，纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片，从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看，DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。

　　2008年 DDR3的市场份额将达到55%

　　半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品，iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。截至2008年11月底的情况看，这个预期还是比较准确，市场上已经占据了很多运行频率为1066,1333,1600,甚至2000MHz的DDR3内存，接口类型有204和240 PIN两种。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。

　　DDR3内存新特点

　　由于DDR2内存的各种不足，制约了其进一步的广泛应用，DDR3内存的出现，正是为了解决DDR2内存出现的问题，具体有:

　　更高的外部数据传输率

　　更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构

　　在保证性能的同时将能耗进一步降低

　　为了满足这些要求，DDR3内存在DDR2内存的基础上所做的主要改进包括:

　　8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

　　采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担。

　　2009年单根PC内存条的容量已达到了惊人的32GB

　　在2009年冬季即将结束，三星正式推出目前世界上单颗密度最大的DDR3芯片，基于50纳米制造工艺，推单颗容量到了4Gb,这个终于使得我们可以更快的跨入64位的时代，因为单根PC内存条的容量已达到了惊人的32GB。 新的芯片比先前的DDR3芯片功耗降低了40%，

　　其次，这也为单根32GB的内存条的上市扫清了障碍，最初面市的32GB的RDIMM内存用于服务器领域采取双面封装(每一面由4×4GDDR3芯片组成)，同时会面对桌面市场提供8G的UDIMM内存提供给工作站和PC平台，以及8GB的SO-DIMM笔记本电脑内存。 新的低功耗DDR3内存设计工作电压为1.35V，比之前1.5V的DDR3芯片降低大约20%功耗，同时最大吞吐速度达到1.6Gbps。 另外，DDR2的价格恐怕会依然疲软，我在想我的本本是不是应该升级到DDR2 4GB了呢?而根据IDC的预测DDR3内存市场份额将从目29%到2011年达到72%。