许小亮，自1983年7月毕业于中河助握指研察药国科学技术大学近代物理系。1999年4月在香港大学获得博士学位，1999年6月-2001年烟建9月在中国科学技术大学读博士后，1999年5月-2005年11月，任中国科学技术大学副教授，2005年12月，任中国科学技术大学教授。
- 中文名称 许小亮
- 国籍 中国
- 出生日期 1960年2月
- 毕业院校 香港大学
- 职业 教师
科研成果
许小亮 教授自1989年起即开始从事固体中阴极射线荧光(CL)和光致荧光(PL)的研究。1991-1993年间，获国家晶自然科学基金的资助，主持半导体及其氧化物的光学跃迁的研究， 1994年赴香港大学后进创，亦继续从事这方面的研究，从9来自6年起开始从事III-V族半导体GaN发光薄膜和InP的光学和电学性质的研究。
360百科自1999年开始从事ZnO薄膜受激发射的群速乐卫心收改义十研究，在n型Si衬底上用射频溅射法生长出ZnO同质p-n结, 其光学、电学特性优于日本研究人员用直流溅射法在n-Si生长的ZnO p-n同质结以及美国研究人员在GaAs上用热扩散因丰支茶余法生长的ZnO p-n同质结。
2002-2005年，参加863项目"新型近场光存储材料和器件"的预研究，在不同衬底上生长适用于近场光存储纳米金属或纳米半导体颗粒薄膜香由跳系纪使轴谁层束预与自组装量子点，解决了控制纳米颗粒尺度大小的课题。此对于目前进行的近场增强效应和高疏水性防护薄膜研究的实际意义在于不同尺度的纳米金属颗粒的生长的可控性已基本得到了解决，利用金属量子点作为催化剂生长Cassie空间结构在望。
1999年以来在GaN和ZnO等理论、家情阻长秋另江句实验领域已发表文章40余晚集神善篇，参与国家及省部级基金项目10余项，其中7项为负责杆翻带万仅掌均人。主持的"Ⅲ-Ⅴ族和处地考显触害跳单Ⅱ-Ⅵ族半导体的电学输运和发升光特性研究" 和"半导体光自苗许洋略电功能材料InP,GaN和ZnO的研究" 分别于2003和2004年通过省级鉴定，鉴定意见为:"在理论和基础应用方面已达国际先进水平"，获2003年度安徽省高等学校优秀科技成果一等奖和2004年度安徽省科学技术(自然科学)二等奖。个人已发表论文论著83篇，其中SCI、EI收录论文48篇，SCI论文平让北吃陆待存均每篇影响因子为2.34; 1999年来发表的SCI论文被引用63篇次;课题组1998-2分话较促协拉没003发表SCI,EI收录的叫蛋因论文44篇，被引用120篇次，其中他引87次。
课题组从1999年就开始了纳米氧化锌、氧化硅等薄膜的电学、光学、热学以及结构血电或兰们质仍散特性的研究，已经掌握了多种在实验室生长纳米氧化锌薄膜的方法，如:直流示章针站待督望包收乐磁控溅射、射频磁控溅射等物理成膜方法以及电泳法、溶胶-凝胶法、电沉积等化学液相成膜方法。可得到具有高的紫外和可见光透过率(大于90%)和较强的附着性能的薄膜，并有一定的自清洁和防川掉志渐风化的性能。并具备了一定的前期研究基础和基金资助(安徽省人才开发基金和安徽省科技创新基金)聚师考众某形判你乡员在。具有较强的理论和实验基础。鉴于以上理由，利用我们数年来在纳米氧化锌薄膜制备的研究成果，计划在3年内，将制备薄膜技术实现由基础研究阶段向工业化生产阶段的过渡;在大型玻璃建材的制备过程中，采用纳米氧化锌基、氧化钛基复合防护薄膜技术，以增强建材的自清洁、抗风化及耐磨能力，同时达到降低成本、进一步推广应用的目的。
最主要创见及贡献
(1) 对GaN生长动力学、生长环境以及缺陷形成机理的做了比较充分的分析，指出原生GaN薄膜中最可能出现的缺陷与杂质以及这些缺陷与杂质对发光的影响。在此基础上，通过对GaN/蓝宝石系统的纵深剖面元素分布的研究，以及对GaN薄膜的温度霍尔效应的研究，确立了GaN/蓝宝石系统界面n+简并薄层的存在和成因、该薄层对GaN薄膜电学输运特性的影响，以及整个系统中沿深度分布的补偿机理。首次用"双施主杂质能带"的概念解释低温下的载流子饱和特性。这一研究确立了用常规工艺生长的GaN器件的电学输运机制的弱点来自于界面简并层，薄膜生长及热处理时的高温所导致的原子扩散正是简并层的成因。结果在APL 和JAP发表。
(2) 用光增强电流谱(PSCS)测量Al+的注入产生的高阻GaN薄膜中的深能级。Al的注入，在n型GaN中形成了一个"准深能级带"，反映在低温PL谱上则是带边及2.2eV黄色荧光的消失。采用一定条件下的退火，使准深能级带"缩"为几个独立的深电子陷阱。黄色荧光也得到一定恢复。此研究有助于了解离子注入对GaN发光产生的影响。PSCS的设计为首次发表，它适用于一切用现有方法(包括ODLTS)不能测量的高阻样品中的深陷阱能级。结果在TSF发表。
(3) 首次用射频溅射法，在反应室中通以过量氧与纯锌反应，在n型Si衬底上生长出p型ZnO薄膜。p-ZnO的反型率、发光特性和p-ZnO/ n-Si异质结特性均优于日本研究人员用直流溅射法生长的p-ZnO/ n-Si异质结。首次在n型Si衬底上用射频溅射法生长出ZnO同质p-n结, 其光学、电学特性优于日本研究人员用直流溅射法在n-Si生长的ZnO p-n同质结以及美国研究人员在GaAs上用热扩散法生长的ZnO p-n同质结。具体结果投APL和JCG。
(4) 由于在工艺和价格上的优势，在Si和含Si衬底上用溅射法生长ZnO薄膜已在发光器件上得到了普遍应用，但现有的溅射法需与高温退火相配合，方能得到取向较好的薄膜。研究发现退火伴随着三元化合物晶体硅酸锌以及非晶态二氧化硅的产生，它们是520nm绿色荧光以及450nm蓝色荧光的主要来源。由此建议改进传统的溅射方式由目前通用的固相沉积加前置热丝变为气相沉积，则可以避免高温产生新的化合物对器件性能带来的危害，有益于生长突变型同质p-n结或异质结。结果已在CPL发表。
(5) 参加863项目"新型近场光存储材料和器件"的预研究，在不同衬底上生长适用于近场光存储纳米金属或纳米半导体颗粒薄膜与自组装量子点，解决了控制纳米颗粒尺度大小的难题。物理研究正在进行之中。这项研究不仅对近场光存储材料和器件的研究有实际意义，而且在制备的近场超分辨结构上生长和表征纳米量级光电功能材料或器件阵列研究方面有着诱人的应用前景。
