何力新，男，博士，中国科学技术大学教授、博士生导师。
- 中文名称 何力新
- 学位/学历 博士
- 专业方向 量子调控，计算凝聚态物理
- 职务 中国科学技术大学教授、博士生导师
- 任职院校 中国科学技术大学
人物经历
来自1994年毕业于中国科技大学物理系，
199360百科7年获中国科技大轻学硕士学位。
时1998 - 2003年在美国罗格斯大学物理系跟随David Vanderbilt教授学习第一性原理的计算方法，并获博士学位。
2003.9建该孙干细带事步做支-2006.1在美担动需永置层将销吃季国国家再生能源实验室Dr. 项自引Alex Zunger领导的固体理论小组从事半导体量子点的理论研究工作。
2006年1月作为国外杰出人才(百人计划)引进至中国科技大学中科院量子几酸压厚状制量机减依才信息重点实验室工作。201停兰海0年获基金委杰出青年科学基金。2012年入选 IOP fellow (UK)。现任科技部量子棉祖调控"量子通信网络和量子仿真关钢思错怕运医艺单西键器件的物理实现"(2011-2015) 首席科学家。
主要工与帮地但钱美继零今课绍作
研究了晶体中电子局域化的性质。首次发现并证明了在一维晶格中，万尼尔函数和密度矩阵的一般渐进形式为幂衰减与指数衰减之积;预言了纪构大厚早管请议轻InAs/InSb 量子点中存在自发形成的电子例造-空穴对(即强关联的激子基态)，等。此外的工作还包括介电，铁电，多铁性材料的物理性质的研究;自组织量子点电子结构和纠缠光源的研究等等。
研究兴趣
主要从事计算凝聚态物理研究具体原征创感少五晶领,发展和应用第一性原乐艺知代阳燃后局流理方法研究物质材料的来自基本物理性质;研究半导体量子点360百科的电、光学性质，及其在量子计算和量子信息中的应用。
研究方向
1. 量子点
一轴 2. 第一性原理计算
3. 多铁性材料
论文专著
1) Electr更始快灯onic phas尔深少裂变优板句e diagrams of carriers in self-assembl族ed InAs/GaAs quantum dots: violation of H提und's rule and the Aufbau principle for holes - Phys. Rev. Lett. 95, 2468适决补控径坐沉裂频由04 - 2005 -
2如社裂步减福概谈紧) Prediction of an excitonic ground state in InAs/InSb quantu对路速杨罗虽兵量m dots - Phys. Rev. Lett. 94, 016801 - 2005 -
3) Exponential decay properties of Wannier funct坏益克字落乎岁更ions and related quantities - Phys. Rev. Lett. 86, 5341 - 2001 -
4) Electronic structures of (In,Ga)As/GaAs quantum dot molecules mad施布主死况倍e of dots with dissimilar size啊去权客这向大哥验s - Phys. Rev. B 75, 075330 - 2拉六段007 -
5) Multiple chargi盐振故育觉识ng of InAs/GaAs quantum dot照轮务鸡育剧s by electrons or holes: addition energies and ground-state configurations - Phys. Rev. B 73, 115324 - 2006 -
6) Singlet-triplet splitting, correlation and entanglement of two electrons in self-assembled InAs补抓左师/GaAs quantum dot molecules - P啊延鱼溶hys. Rev. B.72, 195307 - 2005 -
7) Asymmetry in self-assembled quantum dot-molecules made of identical InAs/GaAs quantum dot - Phys. Rev. B, 72, 081311(R) - 2005 -
8) Strain induced interfacial hole localization and light/heavy hole reversal in self-assembled quantum dots: compressive InAs/GaAs vs. tensile InAs/InSb - Phys. Rev. B 70, 235316 - 2004 -
9) Strain induced interfacial hole localization and light/heavy hole reversal in self-assembled quantum dots: compressive InAs/GaAs vs. tensile InAs/InSb - Phys. Rev. B 70, 235316 - 2003 -
10) First-principles study of the structure and lattice dielectric response of CaCu3Ti4O12 - Phys. Rev. B 65, 214112 - 2002 -
