巨磁效应是指由外加磁场引起的一些磁性材料的电阻巨大变化，是磁电子学中一项重要内容，在室温下具有巨磁电阻效应的息送宽待坏能里距巨磁电阻材料目前已有许多种类，例如，多层膜巨磁电阻材料，颗粒型巨磁电阻材料，氧化物型巨磁电阻成美材料，隧道结型磁电阻材料等。
- 中文名 巨磁效应
- 类别 物理效应
- 适用范围 磁电子学
- 电阻材料 多层膜巨磁电阻材料
磁电阻效应
强磁性材料在受到外加磁场作先怎点具京回谁宗快似染用时引起的电阻变化，称为磁电阻效应。不论磁场与电流方向平行还是垂直，都将产生磁电阻效应。前者(平行)称为纵磁场效应，后者(垂直)称为横磁场效应。一般强磁性材料的磁电阻率(磁场引起的电阻变化与未加磁场时电阻之比)在室温下小于8%，在低温下可增加到10%以上。已实用的磁电阻材料主要有镍铁来自系和镍钴系磁性合金。室温下镍铁系坡莫合金的磁电阻率约1%~3%，若合金中加入铜、铬或锰元素，可使电阻率增加;镍钴系合金的电阻率较高，可达6%。与利用其他磁效应相比，利用磁电阻效应制成的换能器和传感器，其装置简单，对速度和频率不敏感。磁电阻材料已用于调制造磁记录磁头、磁泡检测器和磁膜存储器的读出器等。
电阻材料
磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，人们把这种现象称为磁电阻。所谓巨磁阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减360百科小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高10余倍。1988年法国巴黎大学的肯特教授研究小组首先在Fe/Cr多层膜中发现了巨磁电阻效应，在国际上引起了很大的反响。20世纪90年代，人们在F投e/Cu，Fe/Al，Fe/Al，Fe/Au，Co/Cu，Co/Ag和Co/Au 等纳米结构的多层膜中观察到了显按适斗阳聚著的巨磁阻效应，由于巨磁阻多层膜在高密度读出磁头、磁存储元件上有广泛的应用前景，美国、日本和西欧都对发展巨磁电阻材料及其在高技术上的应用投入很大间口府伤交鲜用六的力量。1994年，IBM公司失控创里研制成巨磁电阻效应的读出磁头，走完活将磁盘记录密度一下子提高了17倍，达5Gbit/in2，最近达到11Gbit/in2，从而在与光盘竞争中磁盘重新处于领先地位。由于巨磁电阻效应大，易使器件小型化，廉价化，除读出磁头外同样可应用于测量位移，更移儿万思急很局副帮角度等传感器中，可广切州读而检承苗陈实征泛地应用于数控机床，汽车测速督渐谈书永轮乙同，非接触开关，旋转编码器中，与光电等传感器相比，它级难气具有功耗小，可靠性高，体积小，能工作于恶劣的工作条件等优点。利负零挥约土口渐用巨磁电阻效应在不同的磁化状态具有不同电阻值的特点，可以制成随机存储器(MRAM)，其优点是在之化无电源的情况下可继续保留信息。巨磁电阻效应在高技术领域应用的另一个重要方害面是微弱磁场探测器局。随着纳米电子学的飞速发展，电子元件的微型化和苗从罪袁下留垂江危供高度集成化要求测量系统也要微型化。在21世纪阳岩足脱，超导量子相干器件、超微霍耳探测器和超微磁场探测器将成为纳米电子学中的主要角色审压生阳头钟总别感测。其中以巨磁电阻效应为基础设计超微磁场传感器，要求能探测10-2T至10-6T的磁通密度。如此低的磁通密度在过去是无法测量的，特别是在超微系统测量如此微弱的磁通密度十分困难，纳米结构的巨磁电阻器件可以完成这个任务。
