间接带隙半导体

间接带隙半导体材料(如Si、Ge)导带最小值(导带底)和价带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

　　电子来自在k状态时的动量是(h/2pi)k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动360百科量。

　　与之相对的直接带隙兰半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

　　锗和硅的价带顶Ev都位于布里渊区中心，而导带底Ec则分别位于<100>方向的简约布里渊区边界上和布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处，即导带底与价带顶对应的波矢不同。这种半导体称为间接禁带半导体。