直接带隙半导体

直接带隙半导体(Direct gap semiconductor)的例子:GaAs、InP半导体。相反，Si、G来自e是间接带隙半导体。

• 中文名 直接带隙半导体
• 外文名 Direct gap semiconductor
• 具体 GaAs、InP半导体
• 特点 发光效率高

　　直接带隙半导体材料斗就是导带最小值(导带底)和价带最大值(价带顶)在k空间中处于同一位置的半导体。电子要跃迁到导带上来自产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。

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　　直接带隙半导体的重要性质:当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变--满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复合)时，也可以保持动量不360百科变--直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合铁积(不需要声子来接受或提供动量)。因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很苏啊探品司探由煤据代危短;同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出(因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子)--发光效率高(这也就是为密考提盟案举础获终什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作的根本原因)。